来自俄科学院西伯利亚分院网站的报道，该分院半导体物理所、无机化学所及核物理所的联合科研团队合成出“硅 – 锗 – 锰”磁性半导体材料，材料的导电性在磁场作用下可发生变化，可用于诸如量子计算机、自旋晶体管等微电子领域元器件的制造。相关成果发布在“试验和理论物理”科学期刊上。

　　科研团队采用系列试验研究了“硅 – 锗”系半导体材料的结构和性能，确定出“硅 – 锗 – 锰”磁性半导体材料合成的最佳工艺参数。材料的合成是在分子束外延装置上进行，在标准硅片上生长出锗单晶层，由于硅和锗的晶格具有不重合性，其晶界发生变形，从而形成微电子元器件，光滑硅片表面沉积三层锗单晶层后所形成的粗糙点即为锗单晶的“量子点”，在单晶生长的同时启动硅片的锰元素杂化处理，从而合成出“硅 – 锗 – 锰”磁性半导体材料。锰的杂化浓度和材料的合成温度是此项技术的重要工艺参数，科研团队实验确定锰的最佳浓度为2%，而合成温度为 400 oС。此项技术的关键点在于需要将锰原子严格安置在“量子点”特定的位置上，只有这样材料才具有磁性。

　　半导体材料的导电性取决于特定的条件，比如，温度的变化或杂化处理等，如果杂化元素具有磁性，其杂化处理的结果有可能得到导电性可受磁场控制的半导体材料。此种材料的应用领域之一为自旋电子学，与传统电子学相区别，该领域能量或信息的载体不是电流，而是自旋流，即电子的磁矩。